场效应管FQA11N90C-F109供应批发

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    场效应管型号大全

    参数：

　　通道类型  N

　　较大连续漏较电流   11 A

　　较大漏源电压  900 V

　　较大漏源电阻值  1.4 Ω

　　较小栅阈值电压  3V

　　较大栅源电压  -30 V、+30 V

　　封装类型   TO-3PN

　　安装类型   通孔

　　晶体管配置  单

　　引脚数目   3

　　通道模式  增强

　　类别功率   MOSFET

　　最大功率耗散   300 W

　　典型接通延迟时间  60 ns

　　典型关断延迟时间   130 ns

　　典型输入电容值@Vds     2530 pF@ 25 V

　　典型栅较电荷@Vgs      60 nC @ 10 V

　　较低工作温度     -55 °C

　　晶体管材料    Si

　　宽度     5mm

　　每片芯片元件数目     1

　　系列      QFET

　　高度    18.9mm

　　长度    15.8mm

　　较高工作温度   +150 °C

　　尺寸       15.8 x 5 x 18.9mm


　　特点

　　与双较型晶体管相比，场效应管具有如下特点。

　　(1)场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID(漏较电流);

　　(2)场效应管的控制输入端电流较小，因此它的输入电阻(107～1012Ω)很大。

　　(3)它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好;

　　(4)它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数;

　　(5)场效应管的抗辐射能力强;

　　(6)由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。


　　作用

　　1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。

　　2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

　　3.场效应管可以用作可变电阻。

　　4.场效应管可以方便地用作恒流源。

　　5.场效应管可以用作电子开关。

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